BAB I
PENDAHULUAN
1.1
Latar belakang
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai
penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam
kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya
(FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber
listriknya.
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu
Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Tegangan yang di satu terminalnya
misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar
daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output
Kolektor.
Transistor merupakan komponen yang sangat penting
dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan
dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber
listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam
rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan
tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga
berfungsi sebagai logic gate,
memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
Transistor hubungan (junction
transistor) merupakan salah satu alat semikonduktor yang paling
penting.
Transistor - transistor ini membentuk elemen kunci dalam computer, pesawat
angkasa dan satelit, dalam semua komunikasi modern dan system daya.
1.2
Tujuan
1. Untuk menentukan titik kerja DC teori dan praktek.
2.
Untuk
membandingkan penguat tegangan teori dan praktek.
3.
Untuk mengetahui aplikasi dari rangkaian
parameter-H.
4.
Untuk mengetahui jenis rangkaian penguat
yang dirangkai dalam percobaan.
BAB II
LANDASAN TEORI
Gain arus dari
transistor daya dapat sangat ditingkatkan jika arus drive yang terbaik
diperoleh dari yang lain transistor dalam apa yang dikenal sebagai pengaturan
Darlington seperti ditunjukkan pada transistor driver dapat dimasukkan pada
chip silikon yang sama, dengan keuntungan saat ini keseluruhan 250 menjadi mungkin, tetapi dengan waktu
beralih lagi. Terisolasi gerbang transistor bipolar. Transistor inbipolar adalah
perangkat yang menggabungkan cepat bertindak fitur dan kemampuan daya tinggi
dari transistor bipolar, dengan fitur kontrol tegangan gerbang MOSFET. Dalam hal
sederhana karakteristik kolektor emitor yang mirip dengan transistor bipolar
tapi fitur kontrol MOSFET tersebut.
perbedaan menjadi substrat dari IGBT adalah PN daripada NN dari MOSFET. Penerapan tegangan gerbang membentuk saluran untuk aliran arus, seperti yang dijelaskan untuk MOSFET, yang kemudian arus basis untuk transistor PNP yang jalan adalah dari kolektor ke emitor. Bukan berarti meskipun struktur NPN yang selalu digunakan untuk transistor daya bipolar waktu beralih kurang dibandingkan dengan transistor bipolar, khususnya turn-on waktu, biasanya 0,15 . D. Dikaitkan dengan karakteristik MOSFET,meskipun waktu turn-off, biasanya 1 , lebih terkait dengan yang karakteristik PNP. Yang di negara-kolektor-emitor tegangan sedikit lebih tinggi daripada transistor bipolar. Maksimum peringkat tegangan dan arus yang mungkin kira-kira sama dengan yang dari transistor bipolar. yang controlis gerbang yang dari MOSFET itu adalah tegangan-charge dikendalikan. Persyaratan gerbang diilustrasikan, dalam prakteknya saklar dua arah yang ditunjukkan menjadi dua transistor. selama turn-on arus gerbang ditentukan oleh resistensi sirkuit gerbang mempertimbangkan karakteristik gerbang-charge.
perbedaan menjadi substrat dari IGBT adalah PN daripada NN dari MOSFET. Penerapan tegangan gerbang membentuk saluran untuk aliran arus, seperti yang dijelaskan untuk MOSFET, yang kemudian arus basis untuk transistor PNP yang jalan adalah dari kolektor ke emitor. Bukan berarti meskipun struktur NPN yang selalu digunakan untuk transistor daya bipolar waktu beralih kurang dibandingkan dengan transistor bipolar, khususnya turn-on waktu, biasanya 0,15 . D. Dikaitkan dengan karakteristik MOSFET,meskipun waktu turn-off, biasanya 1 , lebih terkait dengan yang karakteristik PNP. Yang di negara-kolektor-emitor tegangan sedikit lebih tinggi daripada transistor bipolar. Maksimum peringkat tegangan dan arus yang mungkin kira-kira sama dengan yang dari transistor bipolar. yang controlis gerbang yang dari MOSFET itu adalah tegangan-charge dikendalikan. Persyaratan gerbang diilustrasikan, dalam prakteknya saklar dua arah yang ditunjukkan menjadi dua transistor. selama turn-on arus gerbang ditentukan oleh resistensi sirkuit gerbang mempertimbangkan karakteristik gerbang-charge.
Daya mosfet power metal
oksida semikonduktor lapangan-efek transistor (MOSFET) adalah perangkat yang
berasal dari transistor efek medan (FET) untuk digunakan sebagai saklar cepat
bertindak pada tingkat daya. Berbeda dengan transistor bipolar yang
dikendalikan, MOSFET adalah perangkat tegangan-dikendalikan. terminal utama
adalah drain dan sumber, aliran arus dari drain ke sumber yang dikendalikan
oleh gerbang
dengan Zero
gerbang ke sumber tegangan, tegangan positif pada saluran relatif terhadap
sumber akan menghasilkan arus hingga kemungkinan beberapa ratus volt diblokir.
Jika tegangan yang cukup positif, sekitar 3 V, diterapkan ke pintu gerbang,
muatan negatif diinduksi pada permukaan silikon di bawah gerbang yang
menyebabkan lapisan P untuk menjadi lapisan N diinduksi, yang memungkinkan
elektron mengalir. Oleh karena itu, tegangan gerbang positif mendirikan saluran
permukaan untuk aliran arus dari drain ke sumber.
Tegangan gerbang
menentukan kedalaman saluran ininduced dan cara ini menentukan aliran arus.
karakteristik MOSFET pada nilai yang sangat rendah drain-source perangkat
tegangan memiliki karakteristik resistansi konstan, tetapi pada nilai-nilai
yang lebih tinggi dari saluran sumber tegangan arus ditentukan oleh tegangan
gerbang.
Namun, dalam aplications
listrik tegangan drain-source harus kecil untuk meminimalkan on-negara konduksi
kerugian.
Kerugian
dan pendinginan sumber dalam perangkat
semikonduktor daya adalah :
1. Kerugian selama
konduksi ke depan, yang merupakan fungsi dari arus volt-drop dan konduksi maju.
Ini adalah sumber utama kerugian pada induk dan rendah frekuensi operasi
2. Kerugian yang
terkait dengan kebocoran arus pada negara memblokir.
3. Kerugian terjadi
dalam rangkaian gerbang sebagai hasil dari masukan energi dari sinyal gating.
dalam praktek, dengan menembakkan pulsa kerugian diabaikan.
4. kerugian
switching, yaitu energi yang hilang dalam perangkat selama turn-on dan turn-off
yang dapat menjadi signifikan ketika berpindah terjadi pada frekuensi tinggi.
Hilangnya konduksi diberikan oleh produk dari volt drop-di perangkat dengan arus itu membawa, rata-rata selama periode pengulangan. kerugian beralih terjadi sebagai akibat dari kedua arus dan tegangan berubah secara bersamaan selama periode switching. Rangkaian
transistor yang terkenal yaitu rangkaian basis komon dan rangkian transistor,
kemudian mengenai faktor penguatan arusnya, faktor penguatan tegangannya dan
juga mengenai karakteristik fisis dasar transistor. ( Cyril W. Lander, 2001 )
Banyak rangkaian
elektronik yang dapat menggunakan VT tapi tidak pernah berhasil karena
kesukaran dalam pemanasan katoda. Pada rangkaian penguat NPN dan PNP
digandengkan langsung. Dengan menggunakan catu daya positif, di atas tanah, PNP
dihubungkan “terbalik” agar IC mengalir melaluinya. Perubahan arus
pada RL akan menghasilkan perubahan yang dikuatkan pada RL2.
Transistor BJT Q2 mendapatkan prategangan maju melalui Q1.
Sinyal masukan berarah positif pada basis Q1 akan memperkecil
resistansi EC sebanding dengan beta dari Q1. Hal ini akan
memperbesar prategangan maju pada Q2, sehingga semakin menguatkan
perubahan sinyal masukan. Penguatan total kira-kira
RL.
Penguat
yang sangat banyak digunakan adalah pasangan
Darlington. Penguat ini menyerupai penguat pada penguat dc transistor lain
kecuali bahwa kawat kolektor Q1 dihubungkan ke ujung berlawanan dari
RL. hal ini menimbulkan degenerasi, dan rangkaian secara termal
lebih stabil sewaktu pirantinya menjadi panas selama bekerja.
Penguat
differensial tanggap terhadap
perbedaan antara kedua sinyal. Misalnya ada penguat sebesar 10 pada
masing-masing 2 besarnya +1 V juga, maka arus pada RL1 dan RL2
akan naik dengan besar yang sama sehingga tidak terdapat perbedaan tegangan
pada terminal keluaran. Bila masukan 1 bernilai +1 V , tetapi masukan 2
besarnya hanya +0,5 V, maka arus pada RL2 akan naik hanya sebesar
setengah arus pada RL1 sehingga perbedaan kedua jatuh tegangan
adalah 10 – 5, atau 5 Volt. Penguat differensial menguatkan perbedaan sebesar
0,5 V menjadi 5V.
Potensiometer
digunakan untuk menyetimbangkan kedua rangkaian pada tegangan keluaran dc nol
pada keadaan tanpa tegangan masukan. Penguatan pada penguat tersebut diatur
oleh R3. Dengan resistansi nol, keluarannya harus nol; dengan
resistansi tinggi, penguatannya besar. Untuk mendapatkan kemantapan panas yang
lebih baik penguat differensial dapat menggunakan semacam umpan-balik kebalikannya.
Setiap sinyal yang diberikan sefasa dengan kedua masukan dikenal sebagai sinyal
mode-
bersama,
dan saling menghilangkan di keluarannya. Bila rangkaian dalam keadaan tidak
setimbang
dengan sempurna,
akan ada sedikit tegangan dc keluaran, yang dikenal sebagai “offset”.
Sepasang
penguat derau-rendah dihubungkan seri yang piranti pertamanya bereaksi terhadap
tegangan masukan dan piranti kedua bereaksi terhadap perubahan arus yang
terdapat di piranti pertama dinamakan penguat ”kaskade”. Gerbang Q2 dijaga pada nilai postif tetap oleh
dioda zener, D, dengan sumbernya pada potensial positif yang lebih besar
(prategangan negative terhadap gerbang). Bila diberikan sinyal arah positif
pada gerbang Q1, arus akan membesar melalui Q1, RL1,
Q2, RL2, dan catu daya. Gerbang Q1 yang arah
positif menarik tegangan salurnya ke bawah sampai bernilai kurang positif. Bila
sumber pada Q2 lebih negative, gerbang yang berpotensial tetap
sekarang relative harus lebih positif, sehingga semakin memperbesar arus yang
mengalir melalui RL2. Karena tidak dipintaskan, RL1
menyebabkan degenerasi bagi rangkaian, sehingga memberi kestabilan termal ke
keseluruhan tahap. Kestabilan amplitude dan lebar-pita adalah baik sampai pada
pita UHF dengan JFET dan BJT dan paling baik sampai pita UHF dengan JFET dan
BJT dan paling sedikit sampai 400 MHz dengan IC.
Rangkaian
kaskade setimbang mempunyai kestabilan termal yang lebih baik bila dianggap
bahwa piranti yang digunakan keduanya serupa. Jika basis Q2
ditanahkan, penguat tersebut dapat digunakan sebagai penguat kaskade berakhir
tunggal setimbang maupun sebagai pembalik fasa kaskade bila kedua
pengeluarannya digunakan. Pada waktu tegangan diberikan ke basis Q1
dan ke basis Q2, rangkaian bekerja sebagai penguat kaskade
dorong-tarik atau differensial. Diode zener (D) menjaga basis Q3 dan
Q4 pada potensial yang tetap. Rheostat dengan garis putus-putus akan
bekerja sebagai suatu control penguatan (gain control). Potensiometer R1
digunakan untuk menyetimbangkan rangkaian.
Salah
satu rangkaian dari rangkaian elektronik yang paling banyak digunakan adalah
penguat operasional (operational amplifier) atau op amp. Rangkaian ini merupakan dua-penguat masukan dengan
penguatan yang sangat tinggi. Salah satu masukannya menguatkan sinyal,
menghasilkan keluaran terbalik (berlawanan fasa). Masukannya yang lain akan
menguatkan sama besar, tetapi keluarannya sefasa dengan masukannya. Di dalam
banyak penerapannya op amp memerlukan catu daya positif dan negative, meskipun
terminal negative dapat ditanakan dan pada beberapa hal dapat digunakan sebuah
catu daya.
Beberapa
kegunaan op amp yaitu:
1. Bila
dua impedansi masukan terpisah diberikan pada SJ, tegangan keluarannya akan
merupakan penjumlahan aljabar dari
kedua masukan, dan rangkaian dapat digunakan pada computer analog (bukan
digital).
2. Bila
Zf berupa kapasitor dan Zi adalah resistor, rangkaian
bekerja sebagai integrator presisi, menghasilkan tegangan tanjak yang naik
secara linier.
3. Bila
Zf berupa resistor dan Zi adalah kapasitor, maka
rangkaian dapat digunakan sebagai diferensiator
presisi untuk menghasilkan puncak
tegangan yang tajam yang berasal dari sinyal masukan gelombang-persegi.
4. Bila
Zf berupa resistor dan Zi adalah diode, rangkaian menjadi
penguat logaritmik (penguat yang menguatkan menurut suatu kurva logaritma,
tidak mengikuti kurva linier). (Robert L. Shrader, 1985)
Transistor hubungan (junction transistor)
merupakan salah satu alat semikonduktor yang paling penting.
Transistor - transistor ini membentuk elemen kunci dalam computer, pesawat angkasa
dan satelit, dalam semua komunikasi modern dan system daya. Transistor hubungan
merupakan versi benda padat dari trioda tabung hampa. Transistor ini terdiri
dari semikonduktor Kristal tunggal (yaitu germanium atau silicon) di mana
lapisan tipis jenis p diselipkan
diantara di antara lapisan n. struktur yang terbentuk disebut transistor
n-p-n. transistor dapat pula terdiri dari lapisan jenis n yang disisipkan di
antara dua lapisan jenis p, dan
susunan yang terbentuk dinamakan transistor p-n-p. bagian tengah dinamakan
basis (base) sedangkan dua ujungnya dinamakan emiter dan kolektor seperti
ditunjukkan. Hubungan antara emitter dan basis dinamakan hubungan
emitter-basis, atau hubungan emiter
saja, dan hubungan antara kolektor dan basis
dinamakan hubungan kolektor-basis, atau hubungan kolektor (
) saja. Seluruh bahan semikondukor
ditutup rapat kedap terhadap kelembapan di dalam paket (kemasan) logam atau
plastic dengan sambungan logammenonjol keluar untuk sambungan ke emitter, basis
dan kolektor.Dalam transistor hubungan baik pembawa mayoritas maupun minoritas
ikut serta dalam proses. Karena itu transistor – transistor hubngan dinamakan
alat bipolar (dwikutub), atau transistor hubungan bipolar, atau cukup dengan
transistor bipolar. Dalam operasi normal transistor, hubungan emitter-basis
dicatu maju sedangkan hubungan kolektor-basis dicatu balik. Biasanya symbol
huruf E, B dan C digunakan untuk terminal – terminal emitter, basis dan
kolektor.
Tanda
panah pada emitter menunjukkan arah aliran arus kalau hubungan emitter-basis
dicatu maju. Jadi, arus masuk ke transistor lewat terminal emitter dalam
transistor p-n-p, sedangkan dalam transistor n-p-n, arus keluar transistor
lewat terminal emitter. Dalam kedua jenis transistor tersebut, arus – arus
emitter, basis dan kolektor, berturut-turut diberi tanda
dan
yang diambil positif kalau arus
mengalir ke dalam transistor.
Penurunan
tegangan dari emitter ke basis, dan kolektor ke emitter ditunjukkan berturut –
turut oleh symbol
tegangan – tegangan ini diambil
positif kalau terminal yang ditunjukkan
oleh subskrip pertama positif dibandingkan dengan terminal yang ditunjukkan
oleh subskrip kedua. Arah arus acuan yang dipilih dan kutub – kutub tegangan
ditunjukkan dalam gambar. Dalam keadaan normal, karena karena hubungan emitter
basis dicatu maju,
negatif untuk transistor n-p-n dan
positif untuk transistor terhadap acuan yang dipilih. Kalau hubungan kolektor –
basis dicatu balik, tegangan
positif untuk transistor n-p-n dan
negative untuk transistor p-n-p terhadap acuan. Catatan bahwa tanda – tanda
tersebut berlawanan untuk transistor n-p-n dan p-n-p.
Konstruksi
transistor : teknik berikut ini umumnya digunakan untuk pembuatan transistor
yaitu
(
I ) Dalam tekinik penumbuhan (grown
technique), suatu kristal tunggal ditarik dari lelehan silicon (germanium) yang
mengandung, katakan, pencampuran jeniss n. selama proses penarikan jenis n
ditambahkan lagi membentuk transistor jenis n-p-n. demikian pula, transistor
p-n-pdapat pula dibuat.
(
II ) Dalam teknik aloi atau teknik
leleh (fused), bintik kecil indium (elemen aseptor) ditempatkan pada masing –
masing sisi wafer tipis semikonduktor jenis n. gabungan tersebut dipanaskan.dalam
waktu singkat pada temperature tinggi. Selama proses tersebut indium meresap
dan masuk ke dalam semikonduktror. Susunan pada waktu mendingin pada waktu
transistor p-n-p. dengan cara yang sama transistor n-p-n dapat dibuat.
(
III ) Dalam teknik difusi, semikonduktor
ekstrinsik (katakan jenis n) berperan sebagai kolektor dipanaskan dalam
pembakar berisi pencampur jenis p. di sini pencampur dalam bentuk gas berdifusi
masuk ke dalam permukaan semikonduktor membentuk daerah p yang kemudian digunakan
sebagai basis transistor. Irisan ini kemudian ditutup dengan kedok (mask)
dengan bukaan tertentu dan dipanaskan lagi dalam uap gas dari pencampuran jenis
n. pada saat ini suatu lapisan bahan jenis n terbentuk di atas lapisan jenis p.
lapisan n ini membentuk emitter dari transistor. Ini merupakan proses rombongan
(batch) dan sejumlah besar transistor dapat dibuat dalam satu kali pembuatan. Dalam
tekinik difusi tebal irisan (kolektor), yang digunakan sebagai bahan awal,
tidak dapat dibuat sangat tipis. Ha ini menyebabkan kolektor sangat resistif
dan tidak cocok untuk penggunaan tertentu.
(
IV ) Dalam teknik epitaksial, lapisan
tipis jenis n atau jenis p dari
semikonduktor dikembangkan pada bahan
semikonduktor yang diresapi (doping) berat. Bahan diresapi berat ini dinamakan
landasan. Lapisan yang terbentu demikian dapat berperan sebagai kolektor, basis
dan emitter dari transistor. Dapat disebutkan disini bahwa perkembangan
terakhir dalam teknik ini memungkinkan menumbuhkan lapisan amat tipis dengan
tebal beberapa puluh atau ratus angstrom. Kata epitaksi diambil dari kata
yunani epi – berarti “pada” dan taxis –
berarti “susunan”.Daya
MOSFET dapat langsung dikendalikan dari sirkuit mikroelektronik dan terbatas pada
tegangan lebih rendah dari thyristor, tetapi mudah perangkat tercepat
bertindak.
Transistor
n-p-n dengan dua sumber tegangan dan resistansi beban
. Sumber tegangan
mencatu hubungan emitter – basis
dalam arah maju (catu maju), dan
mencatu hubungan kolektor – basis menurut arah
sebaliknya (catu balik). Kalau sumber tegangan tidak ada, dengan mengabaikan
lebar daerah muatan ruang, perubahan energy halangan lewat transistor, hal ini
jelas dari seksi 5.2. perubahan energy halangan lewat transistor, sesudah
tegangan catu diberikan, telah dimisalkan bahwa resistnsi dari daerah – daerah
emitter, basis dan kolektor diabaikan dan bahwa tegangan yang digunakan muncul
seluruhnya digunakan lewat hubungan – hubungan. Seperti ditekankan dalam
seleksi 5.4, pencatuan maju hubungan emitter – basis menurunkan energy halangan
e |
| dan pencatu balik hubungan
kolektor – basis menaikkan energy halangan lewat hubungan tersebut sebesar e |
|.
Pencatuan
maju hubungan emitter – basis memungkinkan sejumlah besar elektron diinjeksikan
ke dalam basis dari emitter. Karena penghantaran (konduktifitas)emitter dibuat
jauh lebih besar daripada penghantaran basis, maka sejumlah kecil lobang
mengalir dari basis ke dalam emitter. Jadi arus emitter seluruhnya disebabkan
oleh aliran elektron dalam transistor n-p-n.Setelah masuk daerah basis,
elektron membentuk gradien konsentrasi
di daerah ini. Konsentrasi pada daerah hubungan emitter jauh lebih besar
daripada konsentrasi dalam daerah kolektor. Karena itu elektron yang
diinjeksikan pada prinsipnya bergerak secara difusi lewat daerah basis menuju
hubungan kolektor.
(Chattopadhyay. D, 1989)
BAB
III
METODOLOGI
PERCOBAAN
3.1
Peralatan
dan Komponen
3.1.1
Peralatan
dan Fungsi
1.
Multimeter
Fungsi
: untuk mengukur tegangan.
2.
Penjepit buaya
Fungsi
: sebagai penghubung rangkaian dengan peralatan.
3.
Protoboard
Fungsi
: sebagai tempat untuk merangkai
rangkaian sementara.
4.
Jumper
Fungsi
: sebagai penghubung antar komponen.
5.
Signal generator
Fungsi
: untuk menghasilkan signal atau gelombang listrik.
6.
PSA Simetris
Fungsi
: sebagai sumber tegangan DC pada rangkaian parameter-H.
7.
Kabel penghubung
Fungsi
: sebagai penghubung rangkaian ke peralatan.
3.1.2
Komponen
dan Fungsi
1. Resistor (18K, 33K, 100K, 4.7K, 2.2K)
Fungsi : sebagai hambatan pada rangkaian
Fungsi : sebagai hambatan pada rangkaian
2.
Kapasitor 2 buah 1μF, 1 buah 100 μF
Fungsi
: sebagai kopling pada rangkaian
3.
Transistor C1815
Fungsi
: sebagai penguat pada rangkaian
3.2.
Prosedur
Percobaan
1.
Disediakan
peralatan dan komponen
2.
Dirangkai
komponen pada protoboard seperti gambar berikut :
3.
Dihubungkan
tegangan pada PSA 15 volt.
4.
Diatur
frekuensi pada signal generator 100 Hz.
5.
Dihubungkan
dengan rangkian ke signal generator .
6.
Dihubungkan
rangkaian ke PSA.
7.
Diukur
tegangan dari emitter ke collector.
8.
Diukur
tegangan dari basis ke collector.
9.
Diukur
tegangan dari collector ke collector.
10.
Diukur
tegangan dari basis ke emitter.
11.
Diukur
tegangan dari basis ke basis.
12.
Diukur
tegangan dari collector ke emitter.
13.
Dicatat
datanya.
14.
Diulangi
prosedur no.4 dengan penambahan 100 Hz sampai mencapai frekuensi 500 Hz.
15.
Diukur tegangan
V1 dan V2.
16.
Dicatat
datanya.
17.
Dihitung gain
tegangan masing-masing tanpa C, dengan C dan impedensinya.
18.
Dicatat
datanya.
19.
Diulangai
prosedur dengan mengganti kapasitor menjadi jumper.
20.
Dicatat
datanya.
Gambar
Percobaan
1. Gambar
VEC VBE
2. Gambar
VBB VCC
3.
Gambar
VCE VBC
DAFTAR
PUSTAKA
Halaman : 134 – 151
Lander,
Cyril W. 1993. POWER ELECTRONICS. Third Edition. Singapore : McGraw-Hill.
Pages : 20 – 24
Shrader,
Robert L. 1985. KOMUNIKASI ELEKTRONIKA. Edisi Kelima. Jilid 1. Jakarta :
Erlangga.
Halaman : 351 – 355
Tidak ada komentar:
Posting Komentar